Modèle de Produit

QM20TD-H303

Introduction

Module IGBT

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Technologie IGBT à haute efficacité, faible perte de puissance, commutation à grande vitesse, diode intégrée

Performance du Produit

Optimisé pour des applications à haute tension et à fort courant, performances thermiques robustes, durabilité améliorée sous différentes conditions de charge

Spécifications Techniques

Tension Collecteur-Émetteur : 1200V, Courant Collecteur : 20A, Dissipation de puissance : 200W, Tension Grille-Émetteur : ±20V

Dimensions, Forme et Conditionnement

Conception de module compact, dimensions : 62 mm x 45 mm x 10 mm, emballage standard adapté au transport sécurisé

Qualité et Fiabilité

Conçu selon des normes de qualité strictes, haute fiabilité dans des conditions exigeantes, longue durée de vie opérationnelle avec une dégradation minimale

Avantages du Produit

Conversion d'énergie efficace, réduction du gaspillage énergétique, adapté aux applications haute fréquence

Compétitivité du Produit

Concurrentiel sur les marchés nécessitant une haute densité de puissance et efficacité, favorable par rapport à des modèles similaires d'autres marques

Compatibilité

Compatible avec des pilotes IGBT et circuits standards, adaptable à divers systèmes électriques

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales en matière de sécurité et de performance, certifié par les organismes de régulation électroniques et de sécurité pertinents

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une utilisation à long terme avec un minimum de maintenance, matériaux et processus de fabrication visant à réduire l'impact environnemental

Champs d'Application Réels

Systèmes de gestion de l'énergie, systèmes de puissance pour véhicules électriques, entraînements de moteurs industriels, alimentations et convertisseurs

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